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宝安区电解电容器组

更新时间:2025-09-28      点击次数:4

    不过大都是长这样:图片来源于百度图片而聚合物铝电解电容的封装长这样:图片来自Murata网站引申阅读:·PolymerCapacitorBasics(Part1):WhatIsaPolymerCapacitor?·PolymerCapacitorBasics(Part2):WhatIsaPolymerCapacitor?钽电解电容(Tantalumelectrolyticcapacitors)钽(拼音tǎn)电解电容应用极多的应该是利用二氧化锰做固态电解质,主要长这样:图片出自SolidTantalumMnO2Capacitors固态钽电解电容内部结构大致如下图所示:原图出自Vishay技术文档钽电容与铝电解电容比,在于钽氧化物(五氧化二钽)的介电常数比铝氧化物(三氧化二铝)的高不少,这样相同的体积,钽电容容量要比铝电解电容的要大。钽电容寿命较长,电性能更加稳定。钽电容也有利用导电高分子聚合物(ConductivePolymer)做电解质,结构与上图二氧化锰钽电容类似,就是将二氧化锰换成导电聚合物;导电聚合物的电导率比二氧化锰高,这样ESR就会更低。另外还有湿式的钽电容,特点就是超大容量、高耐压、低直流漏电流,主要用于**和航天领域。华强北国巨正规代理商。宝安区电解电容器组

    Multi-layerCeramicCapacitor)多层陶瓷电容,也就是MLCC,片状(Chip)的多层陶瓷电容是目前世界上使用量极大的电容类型,其标准化封装,尺寸小,适用于自动化高密度贴片生产。也就是我自己设计的主板,自己拍的照片,加了艺术效果;没有标引用和出处的图片和内容,绝大多数都是我自己画或弄出来的,剩下一点点可能疏忽忘加了;标引用的图片,很多都是我重新加工的,例如翻译或几张图拼在一起等等,工具很土EXCEL+截图。多层陶瓷电容的内部结构如下图所示:原图出自SMDMLCCforHighPowerApplications-KEMET多层陶瓷电容生产流程如下图所示:原图出自Capacitors,Part2"CeramicCapacitors[1]"由于多层陶瓷需要烧结瓷化,形成一体化结构,所以引线(Lead)封装的多层陶瓷电容,也叫独石(Monolithic)电容。在谈谈电感中也介绍过多层陶瓷工艺和ThinFilm工艺。ThinFilm技术在性能或工艺控制方面都比较先进,可以精确的控制器件的电性能和物理性能。因此,ThinFilm电容性能比较好,极小容值可以做到,而容差可以做到;比通常MLCC要好很多,像Murata的GJM系列,极小容值是,容差通常都是;因此,ThinFilm电容可以用于要求比较高的RF领域,AVX有Accu-P®系列。盐田区车规 电容器组华科电容一级代理找巨新科。

    也称为塑料薄膜电容;其内部结构大致如下图所示:原图来自于维基百科薄膜电容根据其电极的制作工艺,可以分为两类:金属箔薄膜电容(Film/Foil)金属箔薄膜电容,直接在塑料膜上加一层薄金属箔,通常是铝箔,作为电极;这种工艺较为简单,电极方便引出,可以应用于大电流场合。金属化薄膜电容(MetallizedFilm)金属化薄膜电容,通过真空沉积(VacuumDeposited)工艺直接在塑料膜的表面形成一个很薄的金属表面,作为电极;由于电极厚度很薄,可以绕制成更大容量的电容;但由于电极厚度薄,只适用于小电流场合。金属化薄膜电容就是具有自我修复的功能,即假如电容内部有击穿损坏点,会在损坏处产生雪崩效应,气化金属在损坏处将形成一个气化集中面,短路消失,损坏点被修复;因此,金属化薄膜电容可靠性非常高,不存在短路失效;薄膜电容有两种卷绕方法:有感绕法在卷绕前,引线就已经和内部电极连在一起;无感绕法在绕制后,会采用镀金等工艺,将两个端面的内部电极连成一个面,这样可以获得较小的ESL,应该高频性能较高;此外,还有一种叠层型的无感电容,结构与MLCC类似,性能较好,便于做成SMD封装。极早的薄膜电容的介质材料是用纸浸注在油或石蜡中。

    但使用久了,寿命就有可能降低。电容的介质损耗电容器在电场作用下消耗的能量,通常用损耗功率和电容器的无功功率之比,即损耗角的正切值表示。损耗角越大,电容器的损耗越大,损耗角大的电容不适于高频情况下工作。DF值是高还是低,就同一品牌、同一系列的电容器来说,与温度、容量、电压、频率……都有关系;当容量相同时,耐压愈高的DF值就愈低。此外温度愈高DF值愈高,频率愈高DF值也会愈高。电容的漏电流电容器的介质对直流电流具有很大的阻碍作用。然而,由于铝氧化膜介质上浸有电解液,在施加电压时,重新形成的以及修复氧化膜的时候会产生一种很小的称之为漏电流的电流。通常,漏电流会随着温度和电压的升高而增大。它的计算公式大致是:I=K×CV。漏电流I的单位是μA,K是常数。一般来说,电容器容量愈高,漏电流就愈大。从公式可得知额定电压愈高,电容的漏电流也愈大,因此降低工作电压亦可降低漏电流。电容的外型尺寸电容的外型尺寸与重量及接脚型态相关。singleended是径向引线式,screw是锁螺丝式,另外还有贴片铝电解电容等。至於重量,同容量同耐压,但品牌不同的两个电容做比较,重量一定不同;而外型尺寸更与外壳规划有关。一般来说。风华高压电容原装现货。

    随着开关频率和温度的升高,ESR会下降。额定纹波电流电容的纹波电流,要满足DCDC设计的输入和输出电容的RMS电流的需求。铝电解电容的额定纹波电流需要根据开关频率来修正。寿命铝电解电容的寿命比较短,选型需要注意。而寿命是和工作温度直接相关的,规格书通常给出产品最高温度时的寿命,例如105℃时,寿命为2000小时。根据经验规律,工作温度每下降10℃,寿命乘以2。如果产品的设计使用寿命为3年,也就是26280小时。则10*log2(26280/2000)=℃,那么设计工作温度不能超过65℃。聚合物铝电解电容像Intel的CPU这样的大功耗器件,一颗芯片80多瓦的功耗,核电流几十到上百安,同时主频很高,高频成分多。这时对去耦电容的要求就很高:·电容值要大,满足大电流要求;·额定RMS电流要大,满足大电流要求;·ESR要小,满足高频去耦要求;·容值稳定性要好;·表面帖装,高度不能太高,因为通常放置在CPU背面的BOTTOM层,以达到极好的去耦效果。选择聚合物铝电解电容极为合适。对于音频电路,通常需要用到耦合、去耦电容,由于音频的频率很低,所以需要用大电容,此时聚合物铝电解电容也很合适。3钽电容根据前文相关资料的来源,可以发现。广东华科电容代理商公司。龙岗区高压电容

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    还可以做延时电路,极常见的就是上电延时复位;一些定时芯片如NE556,可以产生三角波。·谐振源:与电感一起组成LC谐振电路,产生固定频率的信号。利用电容通高频、阻低频、隔直流的特性,电容还可以用作:电源去耦电源去耦应该是电容极大范围的应用,各种CPU、SOC、ASIC的周围、背面放置了大量的电容,目的就是保持供电电压的稳定。在DCDC电路中,需要选择合适的输入电容和输出电容来降低电压纹波。需要计算出相关参数。像IC工作时,不同时刻需要的工作电流是不一样的,因此,也需要大量的去耦电容,来保证工作电压得稳定。耦合隔直设计电路时,有些情况下,只希望传递交流信号,不希望传递直流信号,这时候可以使用串联电容来耦合信号。例如多级放大器,为了防止直流偏置相互影响,静态工作点计算复杂,通常级间使用电容耦合,这样每一级静态工作点可以单独分析。例如PCIE、SATA这样的高速串行信号,通常也使用电容进行交流耦合。旁路滤波顾名思义就是将不需要的交流信号导入大地。滤波其实也是一个意思。在微波射频电路中,各种滤波器的设计都需要使用电容。此外,像EMC设计,对于接口处的LED灯,都会在信号线上加一颗滤波电容,这样可以提高ESD测试时的可靠性。宝安区电解电容器组

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